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Dotierung von ZnSiP 2 durch Diffusion
Author(s) -
Ziegler E.,
Siegel W.
Publication year - 1975
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19750101008
Subject(s) - gallium , physics , indium , aluminium , crystallography , nuclear chemistry , chemistry , materials science , metallurgy , optoelectronics
Es wird über Diffusionsversuche mit Gallium, Indium, Aluminium, Zinn, Chrom, Gold, Blei und Tellur in Einkristalle des ternären Halbleiters ZnSiP 2 berichtet. Mit den Elementen der dritten Hauptgruppe des Periodensystems wurde ein eindeutiger Dotierungseffekt erzielt, der durch Halleffektmessungen in Abhängigkeit von der Temperatur und durch Untersuchungen mit der Elektronenstrahlmikrosonde nachgewiesen werden konnte. Gallium‐, Aluminium‐ und Indiumdiffusion haben Dotierung des ZnSiP 2 mit flachen Donatoren zur Folge, deren Aktivierungsenergien bei verschwindender Störstellenkonzentration zu 30 meV, 65 meV bzw. 70 meV abgeschätzt wurden. Mit Gallium und Indium gelang es, aus dem bei der Kristallzüchtung häufig auftretenden halbisolierenden p‐ZnSiP 2 niederohmiges n‐ZnSiP 2 zu erzeugen.