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Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstöchiometrischem Spinell im System GaCl/NH 3 /He
Author(s) -
Tempel A.,
Seifert W.,
Hammer J.,
Butter E.
Publication year - 1975
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19750100708
Subject(s) - chemistry
Abstract Kristallperfektion und Orientierungsbeziehungen von GaN‐Epitaxieschichten auf {111}‐und {100}‐orientierten Spinellsubstraten, hergestellt durch Reaktion von GaCl und NH 3 in He als Trägergas, wurden mit der RHEED‐Technik untersucht. Die gefundenen Orientierungsbeziehungen sind:Die beste Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen zwischen 1000…1050°C erhalten sowie bei Wachstumsraten, die größer als 1 μm/min sind. Für schnelles Wachstum ist die Wachstumsrichtung 〈10 1 1〉 besser geeignet als die Richtung 〈0001〉.