Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstöchiometrischem Spinell im System GaCl/NH 3 /He

Kristallperfektion und Orientierungsbeziehungen von GaN‐Epitaxieschichten auf {111}‐und {100}‐orientierten Spinellsubstraten, hergestellt durch Reaktion von GaCl und NH 3 in He als Trägergas, wurden mit der RHEED‐Technik untersucht. Die gefundenen Orientierungsbeziehungen sind:Die beste Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen zwischen 1000…1050°C erhalten sowie bei Wachstumsraten, die größer als 1 μm/min sind. Für schnelles Wachstum ist die Wachstumsrichtung 〈10 1 1〉 besser geeignet als die Richtung 〈0001〉.