Nachweis von Stapelfehlern in GaN‐Epitaxieschichten mittels Elektronenbeugung

Mit der RHEED‐Technik werden auf {100}‐orientiertem Spinell epitaktisch aufgewachsene GaN‐Epitaxieschichten untersucht. Die Wachstumstemperaturen der Schichten waren 540 und 1035°C. Als Verwachsungsgesetz der Epitaxieschicht mit der Unterlage ergab sichDie Richtungsangaben mit vier Indizes bezeichnen stets die Richtung der Normalen auf der entsprechenden Fläche. Bei niedrigen Züchtungstemperaturen tritt Verzwillingung und eine hohe Stapelfehlerdichte auf. Bei hohen Temperaturen geht die Stapelfehlerdichte merklich zurück Zwillingsbildung ist nicht mehr nachweisbar.