Ionenstrahlgestäubte GaAs‐Schichten auf verschiedenen einkristalline Substraten

Dünne GaAs‐Schichten wurden mittels der Ionenstrahlzerstäubung auf Spinell, (111)‐Si und (100)‐GaAs abgeschieden. Das Strahlsystem arbeitete mit Argonionen (10 keV) bei einem Vakuum von 5…8 · 10 −6 Torr im Rezipienten. Als Target wurde undotiertes polykristallines GaAs verwendet. Die Untersuchungen der Schichteigenschaften erfolgte durch elektronenmikroskopische Verfahren (RHEED und C/Pt‐Abdrücke). Die Substrattemperaturen lagen zwischen 180 °C und 590 °C bei Abscheidungsraten von 1&3 Å/s. In einem relativ schmalen Temperaturbereich wurden epitaktische Schichten guter Qualität erhalten; die optimalen Werte lagen für GaAs auf Si bei 540 °C und für GaAs auf GaAs im Interval von 400…450 °C. Höhere Substrattemperaturen führten zu Störungen der Kristallstruktur durch Ga‐Überschuß in der Schicht infolge Zersetzung des GaAs.