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Zur Realstruktur von Ga 1–x In x As LPE‐Schichten
Author(s) -
Butter E.,
Jacobs B.,
Krämer H.,
Schmidt W.,
Stary J.,
Wolff W.
Publication year - 1975
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19750100511
Subject(s) - epitaxy , chemistry , crystallography , substrate (aquarium) , lattice constant , crystal (programming language) , heterojunction , analytical chemistry (journal) , materials science , layer (electronics) , physics , optics , diffraction , oceanography , optoelectronics , organic chemistry , chromatography , computer science , programming language , geology
Ga 1–x In x As‐Epitaxieschichten (0,02 < × < 0,12) auf (111)‐orientierten GaAs‐Substraten wurden aus nichtstöchiometrischen Schmelzen erhalten. – Die aus Strukturätzungen ermittelten Versetzungsdichten lagen zwischen 2 · 10 5 cm −2 und 3 · 10 7 cm −2 , in Abhängigkeit von der Zusammensetzung, der Schichtdicke und der Abkühlungsgeschwindigkeit. – Röntgentopographische Untersuchungen an {110}‐Spaltflächen lieferten Informationen über die Schichtperfektion und deuten am Heteroübergang Schicht/Substrat auf Verspannungen des Substratgitters hin. Die röntgenographische Gitterkonstantenbestimmung bestätigt die Gültigkeit der Vegardschen Regel im untersuchten Konzentrationsbereich. Die Halbwertsbreite von Doppelkristall‐Reflexionskurven, die Ätzgrubendichte und die relative Photolumineszenzintensität zeigen analoge Abhängigkeiten von der Zusammensetzung der Schichten.