Premium
Röntgentopografische Untersuchungen an hochdotierten Galliumarsenid‐Einkristallen
Author(s) -
Schumann B.,
Schulz M.
Publication year - 1974
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19740090908
Subject(s) - physics , materials science , chemistry
Abstract Es wird über röntgentopografische Untersuchungen an hoch Sn‐dotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die röntgentopografische Abbildung von spezifischen Defekten, verbunden mit einem inhomogenen Dotierungseinbau durch konstitutionelle Unterkühlung und Zellenwachstum, wird beschrieben. Spezielle Kontrasterscheinungen werden diskutiert.