Herstellung und elektrische Eigenschaften von dotiertem ZnSiP 2

Die durch Zugabe von Ga und In zur Schmelze hergestellten ZnSiP 2 ‐Kristalle unterscheiden sich in ihren elektrischen Eigenschaften wesentlich von undotierten Proben. Insbesondere die aus der Temperaturabhängigkeit des Hallkoeffizienten ermittelten Aktivierungsenergien belegen, daß in beiden Fällen eine echte Dotierung mit flachen Störstellen vorliegt. Ga und In treten dabei als Donatoren auf, was darauf schließen läßt, daß sie Zn‐Atome substituieren. Das Auftreten starker elektrischer Inhomogenitäten in einem Teil der Proben wird diskutiert.