Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Oxidkeimbildung an Reineisenoberflächen

Beim Glühen von reinen α‐Eisenkristallen im Hochvakuum ( p o 2 = 1 · 10 −4 bis 1 · 10 −6 Torr) entstehen auf den Oberflächen der Kristalle einzelne Oxidkeime, die als γ‐Fe 2 O 3 identifiziert wurden. Die einheitliche Form der Keime auf (100)‐Flächen von α‐Eisen sowie ihre Orientierung bezüglich des Eisengitters deuten auf ein epitaktisches Aufwachsen nach dem bekannten Verwachsungsgesetz (100) Fe∥ (100) Oxid ; [100] Fe∥ [110] Oxid hin. Eingewachsene Versetzungen, Oberflächenstufen und Korngrenzen der Matrix wurden durch Oxidkeime dekoriert. An Durchstoßpunkten frischer Versetzungen erfolgte dagegen keine Oxidkeimbildung.