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Modulationsabhängige Inklination im Fernfeld von GaAs‐Lumineszenzdioden vom Fabry‐Perot‐Typ
Author(s) -
Zehe A.,
Fuchs P.
Publication year - 1974
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19740090512
Subject(s) - physics , chemistry
Abstract Die Richtungsverteilung der Strahlung hochfrequent modulierter GaAs‐Lumineszenzdioden in der Ebene senkrecht zum pn‐Übergang und ihre Abhängigkeit von der Modulationsfrequenz wird untersucht. Den Rechnungen liegt ein Vierschichtmodell einer GaAs‐pn‐Struktur mit sich stufenförming ändernder Dielektrizitätskonstante zugrunde, in dem das aktive Gebiet der Diode (Gebiet der Lichtentstehung) vom Wellenleiter (Gebiet der Lichtausbreitung) getrennt ist. Der berechnete Schielwinkel im Fernfeld der Diode nimmt mit wachsender Modulationsfrequenz ab. Der Einfluß der Modulationsfrequenz auf das Phasenhomogenitätsverhalten des abgestrahlten Lichtes wird diskutiert.