Modulationsabhängige Inklination im Fernfeld von GaAs‐Lumineszenzdioden vom Fabry‐Perot‐Typ

Die Richtungsverteilung der Strahlung hochfrequent modulierter GaAs‐Lumineszenzdioden in der Ebene senkrecht zum pn‐Übergang und ihre Abhängigkeit von der Modulationsfrequenz wird untersucht. Den Rechnungen liegt ein Vierschichtmodell einer GaAs‐pn‐Struktur mit sich stufenförming ändernder Dielektrizitätskonstante zugrunde, in dem das aktive Gebiet der Diode (Gebiet der Lichtentstehung) vom Wellenleiter (Gebiet der Lichtausbreitung) getrennt ist. Der berechnete Schielwinkel im Fernfeld der Diode nimmt mit wachsender Modulationsfrequenz ab. Der Einfluß der Modulationsfrequenz auf das Phasenhomogenitätsverhalten des abgestrahlten Lichtes wird diskutiert.