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Quantitative Bestimmung der Zusammensetzung von Ga 1− x Al x As‐Epitaxieschichten mit der Elektronenstrahl‐Mikroanalyse (ESMA)
Author(s) -
Streubel P.,
Martius G.,
Jacobs K.
Publication year - 1974
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19740090306
Subject(s) - physics , crystallography , humanities , analytical chemistry (journal) , chemistry , philosophy , chromatography
Zur Ermittlung der Lokalkonzentrationen von Ga, Al und As in Ga 1− x Al x As‐Epitaxieschichten aus den Röntgenstrahlintensitäten bei der ESMA wurden mehrere Korrekturverfahren überprüft. Die genauesten Ergebnisse werden durch Kombination der Methode von B IRKS für die Al‐Korrektur mit der Methode nach D UNCUMB /R EED /S PRINGER für die Ga‐Korrektur erhalten. Dabei beträgt die relative mittlere Abweichung von 50% für die Summe der Gallium‐ und Aluminium‐Atomprozente nur −0,1%. In einem Anhang werden für den praktischen Gebrauch erforderliche Gleichungen zur gegenseitigen Umrechnung von Gewichts‐ und Konzentrationsangaben in dem betrachteten System angegeben.