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Epitaktische Abscheidung von GaAs im System Ga(CH 3 ) 3 AsH 3 H 2 (I) Autoepitaktische Abscheidung
Author(s) -
Gottschalch V.,
Petzke W.H.,
Butter E.
Publication year - 1974
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19740090304
Subject(s) - chemistry , analytical chemistry (journal) , materials science , environmental chemistry
Abstract Diese Arbeit beschreibt einige Merkmale der Ga(CH 3 ) 3 /AsH 3 /H 2 Pyrolyse. Die Qualität der autoepitaktischen GaAs‐Schichten wurde ätztechnisch, röntgenographisch und durch Betrachtung der Oberflächenmorphologie untersucht. Es ergab sich ein charakteristischer Einfluß der Züchtungsbedingungen (As/Ga‐Verhältnis, Substrattemperatur) auf die Schichtqualität.