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Die Löslichkeiten von GaP und GaAs in Sn und Bi
Author(s) -
Leonhardt A.,
Kühn G.
Publication year - 1974
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19740090113
Subject(s) - materials science , chemistry , physics
Die pseudobinären Phasendiagramme GaAsBi, GaPsBi und GaPSn werden mit Hilfe der DTA ermittelt und auf der Basis des RS‐Modells die Systeme GaGaAsBi, GaGaPsBi und GaGaPSn berechnet. Die Löslichkeiten von GaAs und GaP in Sn und Bi werden im Temperaturbereich von 600–1200°C angegeben. Es zeigt sich, daß die Löslichkeit in der Reihenfolge SnGaBi abnimmt.