Der Zusammenhang zwischen Oberflächenbehandlung und Barrierenhöhe bei metallkontaktiertem GaSb

Die Barrierenhöhen von Ag‐, Au‐; Ni‐, Al‐; In‐ und Sn‐Kontakten an p‐ und n‐GaSb wurden aus der Messung von I – U ‐Kennlinien bestimmt. Sie sind stark von der Oberflächenbehandlung des Halbleiters und dem eingesetzten Metall abhängig. Die Ergebnisse, die an Kontakten auf chemisch und mechanisch polierten (111)‐A‐Oberflächen erhalten wurden, sind von der Oberflächenstruktur, von Traps und Zwischenschichten abhängig. Sie führen zu spezifischen Veränderungen am Metall–Halbleiter‐Kontakt und bestimmen das „ohmsche” oder sperrende Verhalten der Kontakte. Nur auf chemisch polierten Oberflächen zeigen Sn‐, Al‐ und Ag‐Kontakte an n‐GaSb und Au‐ sowie In‐Kontakte an p‐GaSb „ohmsche” Charakteristiken.