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Instabilitäten in anodischen Siliziumoxidschichten
Author(s) -
Vértesy M.
Publication year - 1974
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19740090108
Subject(s) - chemistry , crystallography
Die Wärmebehandlung anodischer Oxidschichten bewirkt die Verschiebung der Absorptionsminima von SiO‐Bindungen im Infrarotspektrum von 1055–1060 cm −1 Wellenzahlwerte auf den für thermische Oxide kennzeichnenden Wellenzahl‐Wert 1095 cm −1 . ähnliches Verhalten wird auch bei Lagerung an Zimmertemperatur beobachtet. Die Erscheinung kann mit der Umordnung der SiO‐Bindungen erklärt werden.