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Defektstrukturuntersuchungen an GaAs‐Einkristallen mit Hilfe der IR‐Mikroskopie
Author(s) -
Schulz M.,
Sarodnik R.
Publication year - 1973
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19730081210
Subject(s) - materials science , physics , chemistry , crystallography
Es wird über IR‐Untersuchungen an Czochralski‐gezogenen GaAs‐Einkristallen berichtet, die mit verschiedenen Elementen dotiert waren. Bei der Verwendung von Silizium und Chrom als Dotanten wurde bereits eine Eigendekoration der Versetzungen beobachtet. An einigen Beispielen wird die geometrische Anordnung und die Verteilung der Versetzungen diskutiert.