Premium
Zum Wachstum von A III ‐B V ‐Verbindungen aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (III) Untersuchungen zur Flächenmorphologie homoepitaktischer GaAs‐Schichten
Author(s) -
Tietze H.J.,
Butter E.
Publication year - 1973
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19730081113
Subject(s) - chemistry
Für die Oberflächenmorphologie bei der Bildung von GaAs‐Schichten aus Ga‐Lösung wird die primäre Bildung von charakteristischen Löchern verantwortlich gemacht. Die Entstehungsursache dieser Löcher wird gedeutet mit Hilfe geringer Verspannungen, welche aus kleinen Gitterfehlanpassungen resultieren.