TEM‐Untersuchungen von Gitterfehlern in ZnSiP 2 ‐Einkristallen

Es wird über TEM‐Untersuchungen von Gitterfehlern in ZnSiP 2 ‐Einkristallen berichtet. Nach dem Kristallwachstum wurden Versetzungen oder Stapelfehler nur gelegentlich gefunden. Zwillinge traten häufiger auf. Die kristallographischen Elemente der Zwillingsbildung lauten {112} 〈111〉. Nach einer plastischen Biegeverformung bei 900 °C wurden örtlich Versetzungskonfigurationen mit hoher Defektdichte ( N v ≈ 10 6 … 10 7 cm −2 ) beobachtet. Anhand des Beugungskontrastes konnte ein Burgersvektor b = 1/2 〈111〉 identifiziert werden. In manchen Fällen enthielten die Kristalle auch ausgedehnte Deformationsstapelfehler, die von Teilversetzungen begrenzt waren. Die Zwillingsdichte erhöhte sich unter den gewählten Verformungsbedingungen nicht. Aus Untersuchungen von Oettel et. al. und den Ergebnissen der Zwillingsanalyse kann geschlossen werden, daß die Gleitung und die Stapelfehlerbildung im ZnSiP 2 {112}‐Ebenen stattfinden. Zu beiden Vorgängen werden kristallographische Überlegungen angestellt.