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Ätzuntersuchungen an natürlichen Spaltflächen von (Ga, Al) As/GaAs‐Heterostrukturen
Author(s) -
Butter E.,
Günther R.,
Jacobs B.,
Jacobs K.,
Streubel P.,
Zehe A.
Publication year - 1973
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19730080906
Subject(s) - chemistry
Es wird über Ätzuntersuchungen mittels verdünnter HNO 3 und NH 3 /H 2 O 2 ‐Mischungen an {110}‐Spaltflächen von (Ga,Al)As/GaAs‐Heterostrukturen mit und ohne pn‐Übergang berichtet. Die im Ätzbild erscheinenden Linien werden den entsprechenden abrupten Änderungen physikalisch‐chemischer Eigenschaften der Kristalle zugeordnet. Die Ätzbilder lassen sich mit den aus Elektronenstrahl‐Mikroanalysen erhaltenen Aluminiumkonzentrationsprofilen in den Epitaxieschichten korrelieren. Es werden optimale Ätztemperaturen, ‐zeiten und Ätzmittelzusammensetzungen angegeben. Die selektive Ätzwirkung von NH 3 /H 2 O 2 ‐Mischungen auf GaAs wird diskutiert.