Zur experimentellen Gleichgewichtsbestimmung beim Wachstum von In x Ga 1– x As durch Jodtransport

In der vorliegenden Arbeit wird die Anwendung der Thermodynamik zur quantitativen Beschreibung der Herstellungsprozesse von Halbleiterwerkstoffen aus der Gasphase diskutiert. Es wird eine Methode zur experimentellen Bestimmung des heterogenen Gleichgewichts In x Ga 1– x AsJ 2 vorgeschlagen. Auf der Grundlage des gemessenen Gesamtdruckes werden im Temperaturbereich 900–1200 K für x = 0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0 die Partialdrücke der Komponenten und die Gleichgewichtskonstanten der Transportreaktion berechnet.