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Einfluß von Tribosorption und tribochemischen Prozessen auf das grenzflächenmechanische Verhalten von Siliciumcarbid
Author(s) -
Heinicke G.,
Hennig H.P.,
Steinike U.
Publication year - 1973
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19730080139
Subject(s) - physics , chemistry
Am Beispiel von SiC werden erhebliche Unterschiede in der Primär‐ und Sekundärteilchengröße, der Spinkonzentration, der Oberfläche und der Porosität bei der tribomechanischen Bearbeitung in H 2 ‐ und in Ar‐Atmosphäre nachgewiesen. Ursache hierfür sind die in der Phasengrenzschicht des Festkörpers ablaufenden Tribosorptions‐ und Triboreaktionsprozesse. Auf die technische Bedeutung solcher Prozesse wird hingewiesen.

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