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Realstrukturuntersuchungen an GaAs mit elektronenmikroskopischen Methoden
Author(s) -
Tempel A.,
Schulz M.
Publication year - 1973
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19730080127
Subject(s) - chemistry , microbiology and biotechnology , biology
Mittels der elektronenmikroskopischen Durchstrahlungstechnik und der Abdrucktechnik werden nach dem Czochralskiverfahren in [111]‐Richtung gezogenes GaAs‐Kompaktmaterial und GaAs‐Epitaxieschichten untersucht. Die hierzu benutzten Präparationstechniken, die Strahlätzung für die Transmission und die „insitu‐Bekohlung” für die Abdruckuntersuchung werden beschrieben. Sowohl bei {100}‐ als auch bei {111}‐orientierten Proben treten Bildkontraste auf, die auf Materialinhomogenitäten zurückzuführen sind. Die Ergebnisse der Abdruckuntersuchungen, unter Ausnutzung einer speziellen Zielpräparation, bringen den Beweis, daß die Bildkontraste durch unterschiedliche Probendicken erzeugt werden, die auf Volumeninhomogenitäten zurückzuführen sind.