Premium
Herstellung und physikalische Grundcharakterisierung von Al 1–x Ga x As‐Kristallen
Author(s) -
Fischer P.,
Kühn G.,
Bindemann R.,
Rheinländer B.,
Hörig W.
Publication year - 1973
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19730080116
Subject(s) - physics , crystallography , chemistry , materials science
Abstract Durch Kristallisation aus einer Galliumschmelze wurden Al 1– x Ga x As‐Kristalle ( x ≈ 0,2) hergestellt und der Wachstumsmechanismus diskutiert. Es wurde festgestellt, daß Se und Te einen Einfluß auf die Morphologie ausüben. Photolumineszenzuntersuchungen zeigen, daß im undotierten Al 1– x Ga x As eine Reihe von Störstellen (Si, Mg und noch nicht identifizierte Reststörstellen) enthalten sind, über die verschiedenartige strahlende Rekombinationsmechanismen ablaufen. Es besteht ein Zusammenhang zwischen der Si‐Konzentration und Photolumineszenzspektren. Aus Messungen des Infrarot‐Faraday‐Effekts und des Hall‐Effekts wurden die Konzentration und Beweglichkeit der freien Ladungsträger ermittelt.