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Der Einfluß von Ultraschall auf das Ätzen von Galliumarsenid
Author(s) -
Faust A.,
Schreiter P.
Publication year - 1973
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19730080110
Subject(s) - philosophy
Untersuchungsergebnisse über die Beeinflussung des Ärzvorganges an GaAs{111}‐Flächen durch Ultraschall werden mitgeteilt. Aus den Abtragungsraten auf A ‐ und B ‐Flächen bei 20°C, 40°C, und 60°C in Abhängigkeit von der Ultraschall‐Intensität wird abgeleitet, daß nicht die Mikrokavitation, sondern eine Verstärkung der Diffusion im Ätzmittel und eine Energiezufuhr zum Kristall infolge Ultraschallabsorption Erhöhung der Abtragungsraten bis auf den 10‐fachen Betrag bewirken. Die ausführliche Fehlerbetrachtung zeigt, daß bei der Bestimmung von Ätzraten Abweichungen der Einzelmessungen bis ± 50% auftreten, die eine statistische Auswertung zahlreicher Meßreihen erforderlich machen. Die Oberflächenausbildungen sin durch terrassen‐ und spiralförmige Ätzgruben auf den A ‐Flächen gekennzeichnet, die 60°‐ Versetzungen und Schraubenversetzungen zugeordnet werden. Auf den B ‐Flächen bewirkt der Ultraschall eine Beschleunigung des Poliervorganges.

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