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Diffuse Strahlung aus (GaAl)As/GaAs‐Heterodioden vom Fabry‐Perot‐Typ
Author(s) -
Zehe A.,
Jacobs B.,
Albrecht R.
Publication year - 1972
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19720071208
Subject(s) - physics
Die Richtungsverteilung de Strahlung von Elektrolumineszenzdioden in der Ebene des pn ‐Überganges zeigt eine geometrieabhängige Struktur. Ihre mathematische Beschreibung gelingt wider Erwarten erst durch Einbeziehen eines beträchtlichen Anteiles von diffuser Strahlung, die durch optische Inhomogenität des Lichtausbreitungsgebietes verursacht wird. Strahlung, die senkrecht zur strahlenden Diodenfläche gemessen werden kann, muß daher ihren Ursprung nicht in der Normalenverlängerung nach innen haben.