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Untersuchungen an Si‐Epitaxieschichten auf Mg‐Al‐Spinell‐Einkristallen
Author(s) -
Krause H.,
Fienhold M.
Publication year - 1972
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19720071107
Subject(s) - chemistry
In MgAl‐Spinell, der nach dem Verneuill‐Verfahren hergestellt worden war, wurden Versetzungsdichten ungleichmäßiger Verteilung zwischen 10 4 und 10 7 cm −2 gefunden. Röntgenografische Orientierungsmessungen ergaben Abweichungen der Wachstumsrichtung von der Stabachse bis zu 8°. Aus Berg‐Barrett‐Aufnahmen wurde auf stark ausgeprägte Substrukturen geschlossen. Silizium‐Epitaxieschichten auf MgAl‐Spinell wurden nach der pyrolytischen Reduktionsreaktion von SiCl 4 in H 2 hergestellt. Keimbildung. Ätzreaktionen auf dem Substrat und Qualität der Si‐Schichten werden diskutiert. Messungen der Trägerbeweglichkeit im Dotierungsbereich von 10 16 bis 10 17 cm −3 ergaben 60 bis 80% der Volumenbeweglichkeit des Siliziums. Auf Probleme der Entmischung bei Temperung wird eingegangen. Der Einsatz von Si‐Schichten auf Isolatorsubstraten wird diskutiert.