Elektrisch aktive Zentren in thermisch behandelten p‐Si‐Substraten und Si‐Homoepitaxieschichten

P‐Si‐Substrate mit und ohne darauf abgeschiedenen Si‐Homo‐Epitaxieschichten wurden im Vakuum bei 800 < T < 1000°C getempert und einer anschließenden schnellen Abkühlung auf Raumtemperatur unterworfen. Die dabei gebildeten elektrisch aktiven Zentren wurden bezüglich der Lage ihrer Energieniveaus, ihrer räumlichen Verteilung und ihres Ausheilverhaltens untersucht. Die beobachteten Zentren werden als atomare Fehlordnungskomplexe unter Beteiligung von Gitterlücken gedeutet.