Anwendung des Nahabstandsverfahrens des chemischen Transports zur Herstellung von GaAs‐, GaP‐ und GaAsP‐Schichten

Es werden die Möglichkeiten der Gewinnung von n ‐ und p ‐leitenden GaAs‐, GaAsP‐ und GaP‐Schichten und von p‐n ‐Übergängen mit Hilfe des chemischen Transports nach dem Nahabstandsverfahren geprüft. Als entscheidend für das einkristallinie Wachstum der Schichten (bei Temperaturen von 800‐1070°C) wurde der Temperaturgradient zwichen Quelle und Substrat festgestellt. Er muß < 60 grd · cm −1 sein. Die Abweichungen der Orientierung der GaP‐ und GaAsP‐Schichten von der Unterlage betrugen weniger als 1°. Gleichzeitig mit der Abscheidung der Schichten wird das Substrat auf der Unterseite angeätzt, wodurch zusätzlich As in die Schichten gelangen kann. Das führt zu einer Veränderung des Lumineszenzspektrums des p‐n ‐Übergangs. Es wurden verschiedene Spektren aufgenommen. Te‐dotierte Schichten wurden aus Te‐dotierten Quellen erhalten und deren elektrische Eigenschaften ermittelt. P‐ n ‐Übergänge wurden mit Hilfe einer Zn‐Dotierung gewonnen.