Die Herstellung von einkristallinen Dünnschichten aus Halbleitern mit ausgeprägter Anisotropie durch gerichtete Kristallisation der Schmelze zwischen zwei Substraten

Es werden Ergebnisse lichtmikroskopischer und elektrophysikalischer Untersuchungen an einkristallinen Dünnschichten aus Te und CdSb gezeigt, die mit Hilfe der gerichteten Kristallisation einer dünnen Schmelzschicht zwischen zwei parallelen Substraten erhalten wurden. Die Dicke der Dünnschichten liegt in den Grenzen von 5 bis 150 μm. Es wird gezeigt, daß bei dieser Methode die Form der Erstarrungsgrenze, die in starkem Maße die Perfektion der Kristalle beeinflußt, steuerbar ist. Dünnschichten, die bei Kristallisationsgeschwindigkeiten von weniger als 0,25 cm · min −1 erhalten wurden, weisen einkristalline Struktur mit einer Versetzungsdichte von 6 · 10 2 cm −2 auf. Die elektrophysikalischen Parameter ( R H , δ, α) der Dünnschichten aus Te und CdSb werden mit denen des massiven Ausgangsmaterials verglichen und unterscheiden sich nur unwesentlich. Durch Dotierung der Schichten gelang es, einkristalline CdSb‐Dünnschichten mit einer Elektronenleitfähigkeit herzustellen, die eine Konzentration der Minoritätsträger bei 77°K von etwa 10 14 cm −3 aufweisen.