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Über den polymorphen Übergang α → β‐SiC bei hohen Drücken . Will Kleber zum Gedenken
Author(s) -
Sochor M. I.,
Kalinina A. A.,
Feldgun L. I.,
FrankKamenezkij V. A.
Publication year - 1972
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19720070408
Subject(s) - chemistry , medicinal chemistry
Es werden Ergebnisse der röntgenographischen Untersuchung von Siliziumkarbid, das einer Einwirkung von p ∼ 15‐70 kbar und T ∼ 1200‐1700°C unterworfen wurde, mitgeteilt. Die früher beobachtete Erscheinung des polymorphen Übergangs α → β‐SiC unter hohen Drücken und Temperaturen wird bestätigt. Es wird gezeigt, daß der α → β‐Übergang bei den untersuchten p , T ‐Bedingungen unabhängig von der chemischen Reinheit und der Einphasigkeit der Proben, die das Siliziumkarbid als Hauptphase enthalten, erfolgt. An großen Kristallsplittern von α‐SiC wurden die strukturellen Veränderungen untersucht, die durch die Einwirkung hoher Drücke und Temperaturen hervorgerufen werden. Auf der Grundlage der aus der Analye der Pulver‐ und Einkristallaufnahmen gewonnenen Daten werden Schlußfolgerungen über einen möglichen Mechanismus der strukturellen Änderungen und der polymorphen Umwandlung des Siliziumkarbids unter der Einwirkung hoher Drücke ( p ) und Temperaturen ( T ) gezogen.