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Röntgenographische Untersuchungen zur Kristallperfektion von GaAs‐Einkristallen und ‐Epitaxieschichten. Will Kleber zum Gedenken
Author(s) -
Berger H.
Publication year - 1972
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19720070405
Subject(s) - chemistry , physics
Die Defektstruktur von kompaktem GaAs und von GaAs‐Homöoepitaxieschichten wird mit Hilfe röntgentopographischer Reflexionsmethoden (Doppelkristalltopographie, Berg‐Barrett‐Methode) sowie zusätzlich durch Messung von Rockingkurven charakterisiert. Neben Versetzungen werden großräumige Verzerrungen der GaAs‐Einkristalle untersucht und quantitativ bestimmt. Die gemessenen Rockingkurvenbreiten kommen teilweise den für Idealkristalle zu erwartenden nahe. In Wachstumshügeln auf Epitaxieschichten werden einfache bzw. doppelte Verzwilligungen in Verbindung mit einem höheren Defektgehalt festgestellt. Die Perfektion einkristalliner Schichten ist der der Substratkristalle vergleichbar. Auf Grund der beobachteten Kontraste und energetischer Betrachtungen werden Aussagen zur Defektgeometrie der doppelkristalltopographisch abgebildeten Stapelfehlertetraeder in Epitaxieschichten gemacht.