Berechnung der Übersättigung bei der Kristallisation von InAs aus der Gasphase

Es wird gezeigt, daß unter den Bedingungen der Durchführung von Versuchen zur Züchtung von InAs‐Einkristallen aus der Gasphase die partielle Übersättigung des Indium‐Monojodids, die der Differenz der Partialdrücke des Indium‐Monojodids im Lösungs‐ und Kristallisationsraum entspricht, als quantitativer Parameter des Kristallisationsprozesses angenommen werden kann, der Voraussagen über diesen und über Ergebnisse in einem großen Bereich vorgegebener Bedingungen gestattet. Die Ergebnisse durchgeführter Versuche zur Kristallisation des InAs aus der Gasphase unterstützen die Aussagen, die auf der Grundlage einer quantitativen Analyse des Transportprozesses gemacht wurden. Die dargelegte Untersuchungsmethode gibt die Möglichkeit, die Parameter der Kristalle beim chemischen Transport zu steuern.