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Bestimmung der Scheibenorientierung und Schichtdicke an epitaktischen Siliziumschichten auf Silizium
Author(s) -
Fricke P.
Publication year - 1972
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19720070131
Subject(s) - chemistry , physics , humanities , art
Abstract Durch fehlerhaftes epitaktisches Wachstum entstehen in der epitaktischen Schicht Stapelfehler. Beim Wachstum an gestörten Substratstellen durchsetzen die Stapelfehler die gesamte Epitaxieschicht. Form und Größe der Stapelfehler sind abhängig von Schichtdicke und Scheibenorientierung. Für verschiedene Scheibenorientierungen ( hk 0), ( hll ) und ( hhl ) für h, k, l von 1 bis 10 bezogen auf die Ebenen (100), (110) und (111) werden die Stapelfehlerwinkel und die Seitenlängen der Stapelfehler für eine normierte Schichtdicke ermittelt und in Diagrammen aufgetragen. An Hand einiger Beispiele wird dieses Verfahren geprüft und mit herkömmlichen Methoden zur Bestimmung der Epitaxieschichtdicke und Scheibenorientierung verglichen.