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Ein Beitrag zur Erzeugung dünner orientierter Antimonfilme auf Einkristallsubstraten durch Hochvakuumkondensation
Author(s) -
Mietz I.,
Sprenger H.
Publication year - 1972
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19720070114
Subject(s) - chemistry , polymer chemistry
Abstract In Abhängigkeit von der Substrattemperatur, der aufgedampften Schichtdicke und der Aufdampfrate wurde die Kondensation von Antimon auf NaBr‐Epitaxieschichten und auf Muskovit bei 10 −5 Torr untersucht. Auch bei Substrattemperaturen oberhalb 1/3 T s ( T s Schmelzpunkt) erfolgt bis zu einer kritischen Substrattemperatur (für Muskovit > 150°C, für NaBr‐Epitaxieschicht < 150°C) die Kondensation über die amorphe Phase. Oberhalb dieser Substrattemperatur bildet sich die kristalline Phase direkt aus der Dampfphase. Bei einer bestimmten Schichtdicke kristallisiert die amorphe Phase. Die dabei auftretende Orientierung ist schichtdickenabhängig.