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Zur Ätzstruktur von Silizium‐Einkristallen, besonders in versetzungsfreien Bereichen
Author(s) -
Schreckenbach M.
Publication year - 1971
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19710060606
Subject(s) - materials science
Durch geeignete Ätzverfahren kann an Siliziumkristallen auch in den versetzungsfreien Bereichen eine echte Ätzstruktur sichtbar gemacht werden. Die Ätzgrubenformen sind wesentlich bedingt durch die Orientierung der Schliffflächen. Die Ätzstruktur kann von Wachstumsbereichen herrühren, die von {111}‐Flächen begrenzt sind, an denen Verunreinigungen abgeschieden bzw. adsorbiert sind.