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Zum Wachstum von A III ‐B V ‐Halbleitern aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (I) Wachstum von GaAs auf GaAs bei konstanter Temperatur
Author(s) -
Tietze H.J.,
Andrae R.,
Butter E.
Publication year - 1971
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19710060605
Subject(s) - chemistry , physics , materials science
Es wird ein Verfahren zur Erzeugung von GaAs‐Schichten mit variabler Dicke auf GaAs bei konstanter Temperatur aus Ga‐Lösungen beschrieben. Dazu wird eine Innenkühlung des Substrathalters mittels eines Gasstromes benutzt. Es wird der Einfluß der Intensität der Innenkühlung, der Bewegung des Substrathalters und der Wachstumstemperatur auf die Wachstumsrate dargestellt und erläutert. Weiterhin wird die Vermeidung der konstitutionellen Unterkühlung durch Wahl eines geeigneten Temperaturprofils und durch weitgehendes Ausschalten von Temperaturschwankungen diskutiert.