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Raumladungsbegrenzte Ströme in halbleitenden K(Ta, Nb)O 3 ‐Mischkristallen
Author(s) -
Paul R.
Publication year - 1971
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19710060312
Subject(s) - chemistry , materials science , crystallography
Die Strom‐Spannungskennlinien von goldkontaktierten, schwach halbleitenden KTa 0.7 Nb 0.3 O 3 ‐Kristallen (KTN) wurden aufgenommen. Der Verlauf der Kennlinien zeigt, daß der Metall‐Halbleiterkontakt „ohmsch” ist, d. h. es entstehen Anreicherungsschichten im Halbleiter durch Injektion von Ladungsträgern aus dem Metall in den Halbleiter. Die im Kristall fließenden Ströme werden durch diese Anreicherungsrandschichten raumladungsbegrenzt. Aus den charakteristischen Spannungen der Kennlinie ist es möglich, Konzentration und energetische Lage der Haftstellen im KTN zu bestimmen. Bedingt durch die Züchtung waren die Haftstellenkonzentrationen nicht nur in verschiedenen Proben, sondern sogar innerhalb der Proben stark inhomogen, so daß die Umkehrung der Feldrichtung zu einer Verschiebung der Kennlinie führte.