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Struktur von A II B VI ‐Epitaxieschichten in Abhängigkeit von den Aufdampfbedingungen
Author(s) -
Däweritz L.
Publication year - 1971
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19710060212
Subject(s) - chemistry , medicinal chemistry
Abstract Es wird die Struktur von A II B VI ‐Epitaxieschichten diskutiert, wobei speziell auf eigene Untersuchungen an im Hochvakuum auf Spaltflächen von NaCl und CaF 2 aufgedampften CdSe‐Schichten eingegangen wird. Epitaxieschichten von A II B VI ‐Verbindungen besitzen gewöhnlich eine Defektstruktur infolge des Nebeneinandervorkommens der Zinkblende‐ und Wurtzitstruktur, orientierter Verwachsungen dieser beiden Phasen, Zwillingsbildung und Stapelfehler. Die sich ergebenden komplexen Beugungsbilder (für Elektronenbeugung im Durchstrahlungsfall) werden diskutiert. Orientierung, Struktur und Phasenzusammensetzung der Schichten werden neben anderen Faktoren entscheidend von der Art des Substrates, der Substrattemperatur und der Depositionsrate beeinflußt. Ein Einfluß durch Abweichungen von der stöchiometrischen Zusammensetzung ist in Betracht zu ziehen.