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Bildung und Untersuchung von Si x Al 1− x As‐Kristallen
Author(s) -
Fischer P.,
Kühn G.,
Tempel A.,
Beier W.
Publication year - 1971
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19710060208
Subject(s) - physics , materials science , chemistry , crystallography
Bei der chemischen Transportreaktion von AlAs mit Jod als Transportmittel wird in geschlossenen Quarzampullen im Temperaturbereich von 900–1000°C Si x Al 1− x As gebildet. Die gewonnenen Kristallplättchen und Whisker werden röntgenographisch, licht‐ und elektronenoptisch sowie mit der Elektronstrahlmikrosonde untersucht und der Bildungsmechanismus diskutiert.