Zur Herstellung von Kupfer‐Einkristallschichten durch Hochvakuumaufdampfung

Kupfer wurde bei einem Vakuum von 5 bis 8 · 10 −6 Torr auf (001) von NaCl aufgedampft. Die Trägerkristalle wurden in Luft gespalten sowie abgedampft und mit Wasser benetzt. Die in Luft gespaltenen Proben wurden einer anschließenden Temperung ausgesetzt. Die Untersuchung der erzeugten Cu‐Schichten erfolgte mit einem Transmissionselektronenmikroskop durch Beugung und Abbildung. Es wurden die Bedingungen (Trägertemperatur, Schichtdicke, Aufdampfrate) festgestellt, bei denen Cu auf NaCl in einer Einkristall‐Orientierung aufwächst.