Keimbildung und erste Stadien des Wachstums dünner Schichten

Es wird über Reihe von neueren UHV‐Experimenten über die Kondensation, Keimbildung und das Wachstum dünner Schichten berichtet.1 Zur Kondensation wurde mit Elektronenbeugung und gleichzeitiger Messung der Dampfstrahldichte beobachtet, daß der Kondensationskoeffizient von K nach Ausbildung einer K‐Adschicht auf W(100) scharf absinkt. Die Desorptionsenergie beträgt dann nur noch 2 Kcal/mol. Das zeitliche Verhalten der Kondensation von Cd auf Quarz wurde über längerer Zeit mit Hilfe einer Mikrowaage beobachtet. 2 Epitaxie scheint i. a. einer Arrheniusgeraden zwischen dem Logarithmus der Aufdampfrate und 1/ T zu folgen, wie anhand verschiedener Arbeiten diskutiert wird. 3 Die Kräfte, die zur Epitaxie führen, sollten durch die Gitterverzerrungen zwischen Schicht und Unterlage hervorgerufen werden. Am Beispiel einer Ag‐Schicht auf einer Ge(110)‐Unterlage konnte gezeigt werden, daß diese Kräfte auch zu anisotroper Pseudomorphie führen, die bisher noch nicht beobachtet wurde. Die Analyse dieser Effekte führt zu einer Abschätzung der orientierenden Kräfte und zusammen mit der Keimbildungstheorie zu Voraussagen über die oben beobachteten Arrhenius‐Geraden.