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Über Eigenschaften von zonengeschmolzenem Borcarbid
Author(s) -
Borchert W.,
Born E.
Publication year - 1969
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19690040213
Subject(s) - materials science , chemistry
Zur Herstellung von Borcarbid‐Einkristallen hoher Reinheit für rüntgenorgraphische und elektrische Untersuchungen kam das Zonenschmelzverfahren unter Argon als Schutzgas zur Anwendung. Die sich aus der Schmelze bildenden Kristalle zeigen polysynthetische Zwillingsbildung nach (100) des Strukturrhomboeders. An Einkristallen durchgeführte elektrische Untersuchungen zeigten p ‐Leitung und eine sehr große Ladungsträgerkonzentration. Als Leitungsmechanismus wurde ein Hopping‐Prozeß zur Diskussion gestellt.