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Über heterogene Keimbildung von Germanium
Author(s) -
Kleber W.,
Mietz I.
Publication year - 1968
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19680030404
Subject(s) - germanium , chemistry , organic chemistry , silicon
Auf Grund experimenteller Untersuchungen hat es sich gezeigt, daß die Grenztemperaturen bei der Bildung von amorphen bzw. kristallisierten Schichten von Germanium sich in Abhängigkeit vom Substrat im allgemeinen nur wenig unterscheiden. Als Beispiel sei auf die Abscheidung von Ge auf NaCl bzw. NaF hingewiesen. Im Zusammenhang mit den Beobachtungen beim Germanium werden die Bedingungen für die Gültigkeit der Stufenregel vom theoretischen Standpunkt aus für diesen Fall diskutiert.