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Zur Kristallperfektion von Halbleiterepitaxieschichten II. Über den Einfluß der Substratoberfläche auf die Kristallperfektion von Siliziumepitaxieschichten
Author(s) -
Schulz M.
Publication year - 1968
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19680030206
Subject(s) - art , philosophy , physics , microbiology and biotechnology , biology
Es wird über den Einfluß der Substratoberfläche auf die Kristallperfektion von Siliziumepitaxieschichten berichtet. Die untersuchten Schichten waren aus der Gasphase epitaktisch auf korrespondierende Spaltflächenpaare aufgewachsen. Zur Untersuchung verschiedener Wachstumsparameter wurde jeweils eine Spiegelfläche als „Normal” benutzt. Die bei diesen Arbeiten erzielten Ergebnisse werden an einigen typischen licht‐ und emissionselektronenmikroskopischen Abbildungen diskutiert.