Die Züchtung epitaktischer Galliumarsenid‐Schichten durch chemische Transportreaktionen und ihre Lumineszenzeigenschaften

In der vorliegenden Arbeit wurden die Züchtung epitaktischer Galliumarsenid‐schichten durch chemische Transportreaktionen im offenen und im geschlossenen System und deren Lumineszenzeigenschaften untersucht; die Abhängigkeit der Geschwindigkeit des Galliumarsenid‐Transportes von der Trägerkonzentration und von der Temperatur im geschlossenen System wurden ermittelt. Die elektrischen und Lumineszenzeigenschaften der epitaktischen Galliumarsenid‐Schichten vom n ‐Typ wurden untersucht. Es wurde festgestellt, daß die langwelligen Emissionsbanden in den Lumineszenzspektren der epitaktischen Galliumarsenid‐Schichten von der Gegenwart von Kupfer herrühren, das beim Wachstumsprozeß in das Galliumarsenid gelangt. Die wichtigste Besonderheit der Lumineszenz‐spektren epitaktischer Galliumarsenid‐Schichten vom n ‐Typ ist die Verstärkung der Intensität der „Rand”strahlung; dieser Effekt weist darauf hin, daß andere Rekombinationsmechanismen im epitaktischen Material eine verminderte Rolle spielen im Vergleich zu Galliumarsenid, das nach anderen Methoden gezüchtet wurde.