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Die Synthese von CdSiP 2 aus der Gasphase durch chemische Transportreaktionen
Author(s) -
Valov Ju. A.,
Plečko R. L.
Publication year - 1967
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19670020410
Subject(s) - chemistry , medicinal chemistry
In der vorliegenden Arbeit wird eine Methode zur Züchtung von Halbleiterkristallen der Verbindung CdSiP 2 aus den Komponenten angegeben. Diese Methode ähnelt in einigen Punkten der Synthese von Verbindungen in einem Temperaturgradienten, unterscheidet sich jedoch von ihr dadurch, daß das Silizium durch eine chemische Transportreaktion in die Reaktionszone befördert wird. Auf der Grundlage der thermodynamischen Bewertung einiger Gleichgewichte in dem System, das sich beim Erhitzen von Cadmium, Silizium, Phosphor und eines Halogens in einer geschlossenen Ampulle bildet, wurde Chlor als das geeignete Halogen ausgewählt. Es wird gezeigt, daß im Chloridsystem SiCl 4 bei erhöhten Temperaturen neben Cadmium beständig ist und infolgedessen am Transport des Siliziums teilnehmen kann. Außerdem kann das Silizium auch mit Hilfe des Cadmiumchlorids transportiert werden. Die beschriebene Methode wurde verwendet, um bei Wahl geeigneter Versuchsparameter CdSiP 2 ‐Einkristalle von maximal 12 × 3 × 1 mm 3 Größe zu züchten.