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Über die spontane Keimbildung bei der Herstellung von Einkristallen durch Rekristallisation
Author(s) -
Ibe G.,
Lücke K.
Publication year - 1967
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19670020204
Subject(s) - materials science
Bei der Herstellung von Einkristallen nach der bekannten Rekristallisationstechnik tritt häufig trotz Anwendung einer Durchlaufglühung in einem Ofen mit großem Temperaturgradienten eine unerwünschte, über die ganze Probenlänge verteilte spontane Keimbildung auf. Ihre Abhängigkeit von den Versuchsparametern wurde hier am Beispiel drahtförmiger Proben aus 3%igem Silizium‐Eisen quantitativ untersucht. Es zeigte sich, daß die Keimdichte mit höherem Temperaturgradienten und kleinerer Vorschubgeschwindigkeit in guter quantitativer Übereinstimmung mit der Theorie von W ILLIAMSON und S MALLMAN abnahm. Außerdem steigt die Keimdichte stark mit zunehmender Verformung der Probe an und wird durch Oberflächenabtragung verringert. Einen besonders starken Einfluß übte eine vorherige Alterungsbehandlung der Proben aus, die eine Abnahme der Keimdichte um einen Faktor 10 bewirkte.