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Zum Einfluß von Kristalldefekten auf das Sperrverhalten von n + pp + ‐Anordnungen aus Silicium
Author(s) -
Förstner G.
Publication year - 1967
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19670020113
Subject(s) - physics
Elektrische und metallografische Untersuchungen von Silicium‐n + pp + ‐Anordnungen ergaben Zusammenhänge zwischen den Sperrcharakteristiken dieser Dioden und groben Kristallstörungen. Diese Kristallstörungen haben die Form von Rissen. Die Risse bewirken eine Zunahme der Sperrströme und eine Abnahme der Sperrspannungen der n + pp + ‐Anordnungen. Mit großer Wahrscheinlichkeit werden die Kristallstörungen durch thermische Spannungen verursacht, die infolge des Anlötens von Kontakten entstehen.