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Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 2 : Modélisation du dépôt de silicium pur à partir de silane et de silicium dopé in situ au phosphore
Author(s) -
Vergnes Huges,
Duverneuil Patrick,
Couderc JeanPierre
Publication year - 2000
Publication title -
the canadian journal of chemical engineering
Language(s) - French
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.404
H-Index - 67
eISSN - 1939-019X
pISSN - 0008-4034
DOI - 10.1002/cjce.5450780425
Subject(s) - humanities , physics , philosophy
La modélisation des réacteurs de CVD permet, d'abord, une meilleure compréhension des mécanismes conduisant au dépôt et constitue, ensuite, un outil très performant pour assister la conception d'appareils industriels et l'optimisation de leurs conditions d'utilisation. Elle autorise une recherche plus sure et plus rationnelle des variables opératoires permettant l'élaboration de dépôts conformes aux spécifications requises. La mise en équation est effectuée, ici, dans le cas du dépôt de silicium polycristallin à partir de silane pour une technologie nouvelle d'appareil de LPCVD. Les hypothèses et méthodes nécessaires à l'elaboration des logiciels de modélisation sont énoncées et discutées, avant la présentation des résultats et leur confrontation avec les données de l'expérience. Cette étude est finalement étendue au cas, plus complexe, des dépôts dopés in situ au phosphore.