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Dépôt chimique CVD de silicium dopé in situ au phosphore. Partie 2: Analyse théorique et modélisation
Author(s) -
Tounsi Adnen,
Duverneuil Patrick,
Couderc JeanPierre,
Scheid Emmanuel
Publication year - 1996
Publication title -
the canadian journal of chemical engineering
Language(s) - French
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.404
H-Index - 67
eISSN - 1939-019X
pISSN - 0008-4034
DOI - 10.1002/cjce.5450740619
Subject(s) - chemistry , humanities , philosophy
La modélisation du comportement d'un réacteur de CVD permet d'une part de mieux comprendre les mécanismes complexes impliqués et d'autre part de déterminer les conditions permettant de réaliser des dépǒts conformes aux spécifications requises industriellement. Cette démarche est appliquée au cas du dépǒt de silicium polycristallin dopé in situ au phosphore. Elle a permis l'élaboration d'un modèle représentatif de l'opération de dépǒt qui prédit correctement les surépaisseurs de dépǒt dues au silylène. Le contrǒle de l'opération de dépǒt résulte principalement de la concentration en phosphine d'alimentation et de la géométrie de la zone d'entrée où se forme le silylène.