Premium
Dépôt chimique CVD de silicium dopé in situ au phosphore. Partie 1: Etude expérimentale
Author(s) -
Tounsi Adnen,
Duverneuil Patrick,
Couderc JeanPierre,
Scheid Emmanuel
Publication year - 1996
Publication title -
the canadian journal of chemical engineering
Language(s) - French
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.404
H-Index - 67
eISSN - 1939-019X
pISSN - 0008-4034
DOI - 10.1002/cjce.5450740618
Subject(s) - physics , humanities , philosophy
La réalisation de couches de silicium dopé in situ au phosphore par la technique de dépǒt chimique à partir de la phase vapeur (CVD) est encore mal maǐtrisée par les industries de la microélectronique. Des hétérogénéïtés importantes d'épaisseur sont constatées sur plaquette et sur charge, limitant grandement l'utilisation d'un tel procédé. Une étude expérimentale de ce dépǒt est réalisée. Les influences de nombreux paramètres (température, pression, composition de l'alimentation) sont étudiées en terme d'épaisseur et d'uniformité de dépǒt ainsi qu'en terme de structure cristalline et de résistivité. Les potentialités et les mécanismes mis en jeu sont mis en évidence.